Messwerte / Leistungsdaten / Tests
Angaben vom Hersteller zu den Leistungsdaten
Lesegeschwindigkeit (MB/s)
7.450,00 / 15.000,00 MB/s
Schreibgeschwindigkeit (MB/s)
6.900,00 / 15.000,00 MB/s
Produktdetails
- Leistungsaufnahme: 4,2 W - 4,6 W
- Cache: sPLC-Cache
- Mean-Time-Between-Failures: 1,5 Millionen Stunden
- Garantie: 5 Jahre
- Key: M.2 2280
- Abmessungen: 80 x 22 x 2,3 mm
Weitere Informationen
Die Samsung 990 EVO nutzt V-NAND in Kombination mit einem Host Memory Buffer (HMB), da kein eigener DRAM-Cache vorhanden ist. Für Schreibspitzen ist ein dynamischer pSLC-Cache vorgesehen, der den TLC-NAND bei kleinen und mittleren Transfers entlastet. In Benchmarks liefert sie bis zu 700K IOPS im zufälligen Lesen und 800K IOPS beim Schreiben (4K, QD32, 16-Thread). Der Energieverbrauch liegt je nach Last zwischen 4 W und 5 W, im Idle-Zustand unter 50 mW. Mit einer mittleren Betriebsdauer (MTBF) von 1,5 Mio. Stunden und einer TBW-Angabe von 1200 TB ist sie auf langfristigen Einsatz ausgelegt.